马亮，男，回族，1988年10月出生于安徽省亳州市。湖南大学理学凝聚态物理博士，现为衡阳师范学院副教授，硕士研究生导师。2015年7月至2018年5月在武汉华星光电技术有限公司工作，主要从事小尺寸液晶显示面板研发工作，设计产品有5.5”RGBW FHD显示屏，5.7HD+（18:9）显示屏（主要供应红米5手机），6.26Notch产品（对应小米系列手机）；在司共申请专利48篇，美国专利12篇，中国专利27篇，PCT专利8篇，其中3篇专利已授权。2018年5月至今在衡阳师范学院工作，主讲《电磁学与电动力学》、《大学物理》、《大学物理实验》等课程。
主要从事低维半导体结构制备、新型微纳光电功能器件的研究，包括:（1）低维功能半导体结构材料制备；（2）新型微纳集成光电子功能器件；（3）低维功能半导体器件性能调控。（4）基于嵌入式光电传感器性能提升。（5）神经网络、深度学习和多功能物理场仿真。
邮箱：ml_hw@hotmail.com QQ:334174082
欢迎感兴趣的研究生和本科生加盟！
近几年代表性科研项目：
1.主持国家自然科学基金项目，“高质量CsPbX3（X=Cl、Br、I）单晶纳米片的可控直立生长及光电特性研究”，项目编号：52302174，在研。
2.主持湖南省教育厅优秀青年项目，“高质量短波多色红外探测材料与器件研究”，项目编号：22B0726，在研。
3.主持湖南省自然科学基金青年项目，“InAsP/InAs/InAsP超薄二维横向双异质结的可控生长及其光电特性研究”，项目编号：2020JJ5009，2020-2023，已结题。
发表论文情况：
[1]. Zhao, Y.; Tan, Q.*; Li, H.; Li, Z.; Wang, Y.; Ma, L.*, Tunable electronic and photoelectric properties of Janus group-III chalcogenide monolayers and based heterostructures. Scientific Reports 2024, 14 (1), 10698.
[2]. Ma, L.*; Liu, D.; Xiao, B., et al., Pressure and strain engineering of the structural and electronic transitions in ReS2. J. Phys.: Condens. Matter 2023, 35 (36), 365402.
[3]. He, Z.; Guan, H.; Liang, X.; Chen, J.; Xie, M.; Luo, K.; An, R.; Ma, L.; Ma, F.; Yang, T.; Lu, H., Broadband, Polarization-Sensitive, and Self-Powered High-Performance Photodetection of Hetero-Integrated MoS2 on Lithium Niobate. Research 2023, 6, 0199.
[4]. Ma, L.; Wang, Y.; Zhao, Y.*, Tunable Band Gap and Raman Shifts of Two-Dimensional ReX2 (X=S, Se): Layer and Temperature Effect. J. Electron. Mater. 2022, 51 (7), 3919-3924.
[5]. Ma, L.; Tan, Y.; Zhou, W.; Zhao, Y.*; Wang, Y.*, In-situ strain engineering on the emission and photoresponse of epitaxial vertical and horizontal CsPbBr3 triangular nanoplates. Materials Letters 2022, 315, 131931.
[6]. Ma, L.; Hu, W.; Zhang, Q.; Ren, P.; Zhuang, X.; Zhou, H.; Xu, J.; Li, H.; Shan, Z.; Wang, X.; Liao, L.; Xu, H. Q.; Pan, A.*, Room-Temperature Near-Infrared Photodetectors Based on Single Heterojunction Nanowires. Nano Letters 2014, 14 (2), 694-698.
[7]. Ma, L.; Zhang, X.; Li, H.; Tan, H.; Yang, Y.; Xu, Y.; Hu, W.; Zhu, X.; Zhuang, X.; Pan, A.*, Bandgap-engineered GaAsSb alloy nanowires for near-infrared photodetection at 1.31 μm. Semiconductor Science & Technology 2015, 30 (10), 105033.
[8]. Xu, J.#; Ma, L.#; Guo, P.; Zhuang, X.; Zhu, X.; Hu, W.; Duan, X.; Pan, A.*, Room-temperature dual-wavelength lasing from single-nanoribbon lateral heterostructures. Journal of the American Chemical Society 2012, 134 (30), 12394-7.(等同一作)
[9]. Xu, J.; Li, H.; Zhuang, X.; Zhang, Q.; Guo, P.; Ma, L.; Pan, A.*, Synthesis and optical characterizations of chain-like Si@SiSe2 nanowire heterostructures. Nanoscale 2012, 4 (5), 1481-1485.
[10]. Xu, J.; Zhuang, X.; Guo, P.; Zhang, Q.; Ma, L.; Wang, X.; Zhu, X.; Pan, A. *, Dilute tin-doped CdS nanowires for low-loss optical waveguiding. Journal of Materials Chemistry C 2013, 1 (28), 4391-4396.
[11]. Li, H.; Duan, X.; Wu, X.; Zhuang, X.; Zhou, H.; Zhang, Q.; Zhu, X.; Hu, W.; Ren, P.; Guo, P.; Ma, L.; Fan, X.; Wang, X.; Xu, J.; Pan, A. *; Duan, X., Growth of Alloy MoS2xSe2(1–x) Nanosheets with Fully Tunable Chemical Compositions and Optical Properties. Journal of the American Chemical Society 2014, 136 (10), 3756-3759.
[12]. Ren, P.; Hu, W.; Zhang, Q.; Zhu, X.; Zhuang, X.; Ma, L.; Fan, X.; Zhou, H.; Liao, L.; Duan, X.; Pan, A. *, Band‐Selective Infrared Photodetectors with Complete‐Composition‐Range InAsxP1‐x Alloy Nanowires. Advanced Materials 2014, 26 (44), 7444-9.
[13]. Ren, P.; Zhu, X.; Han, J.; Xu, J.; Ma, L.; Li, H.; Zhuang, X.; Zhou, H.; Zhang, Q.; Xia, M.; Pan, A. *, Synthesis and Diameter-dependent Thermal Conductivity of InAs Nanowires. Nano-Micro Letters 2014, 6 (4), 301-306.
[14]. Zou, Y.; Li, H.; Ren, P.; Xu, J.; Ma, L.; Wang, X.; Fan, X.; Shan, Z.; Zhuang, X.; Zhou, H.; Zhang, Q.; Pan A. *, Microphotoluminescence of individual ZnSe nanoribbons. Materials Letters 2014, 129 (21), 118-121.
[15]. Tan, H.; Fan, C.; Ma, L.; Zhang, X.; Fan, P.; Yang, Y.; Hu, W.; Pan, A. *, Single-Crystalline InGaAs Nanowires for Room-Temperature High-Performance Near-Infrared Photodetectors. Nano-Micro Letters 2016, 8 (1), 29-35.
[16]. Xu, Y.; Liu, R.; Ma, L.; Li, D.; Yang, Y.; Dai, G.; Wan, Q. *, Fabrication of GaInPSb quaternary alloy nanowires and its room temperature electrical properties. Applied Physics A 2017, 123 (1), 6.
授权专利情况：
1. 阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置（证书号第3206903号，专利号：ZL201610367097.9）
2. 液晶显示面板的测试结构及制造方法（证书号第3227610号，专利号：ZL201610728816.5）
3. 成盒测试电路以及液晶显示基板（证书号第3336238号，专利号：ZL201610649163.1）
4. 阵列基板及液晶显示器（证书号第3411095号，专利号：ZL201610729146.9）
5. 显示面板及其像素结构（证书号第3512444号，专利号：ZL201710287930.3）
6. 显示器及其显示面板（证书号第3609813号，专利号：ZL201610728797.6）
7. 管式炉高温控制软件（证书号：软著登字第8288609号，登记号：2021SR1565983）
8. 等离子型化学气相沉积设备模拟器操控软件（证书号：软著登字第8288404号，登记号：2021SR1565778）
9. 管式炉自动线控系统（证书号：软著登字第8288650号，登记号：2021SR1566024）
10.一种条状InAs纳米带及其制备和应用（专利号ZL201510098082.2）
11.光致发光显示面板（专利号：ZL201611262897.0）
12.多路复用型显示驱动电路（专利号：ZL201610379791.2）
13.测试电路（专利号：201610549964.0）